6/OCT/24

今日计划:

按顾老师建议加入Cp和Lp仿真

p代表parasitic parameters, 代表各个原件在packaging时候加入的寄生成分。在SMS7630的datasheet上有对不同封装的Lp列表。图里用的是Ls(series),问题不大。


对于C_p的获得,应当先获得C_T,再减去SPICE model里的CJ0,得到的结果就是C_pC_T的T为total,问copilot得到的结果如下。

In a diode datasheet, Ct stands for total capacitance. This is the capacitance measured between the anode and cathode of the diode when a small signal is applied under specified reverse voltage conditions1. It includes the junction capacitance (Cj), which is the capacitance generated at the junction of the diode due to the depletion region acting as a dielectric medium1.
In a diode datasheet, Cjo stands for zero-bias junction capacitance. This parameter represents the capacitance of the diode’s junction when no external voltage is applied (zero bias). It is a crucial parameter for understanding the diode’s behavior in high-frequency applications, as it affects the diode’s switching speed and frequency response

我同时也找到了关于diode spice模型的一个详解,可参考。

看一下C-V curve含义

关于IV-curve的拓展

周四线下开会的时候顾老师说明这个diode是工作在反相偏置的位置,而非之前想的正向偏置。
对极小信号的位置仿真了一下,如下:


可见在-0.2V以下漏电电流随着反向偏置电压增加是逐渐增加的,在-0.2v时候饱和达到0.5 \mathrm{\mu A},对应DC阻值为400 \mathrm{k \Omega}。预估在0.05V及以下的DC/AC阻抗为8.16k。

需要查明diode大致工作在这个负偏置范围的哪一点,放在未饱和的这一段会不会提升性能。

关于各种SIMULATION都是用于什么情形,都是什么作用

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